[发明专利]用于EUV光刻的掩模、EUV光刻系统和用于优化掩模的成像的方法有效
| 申请号： | 201180029828.4 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102947759A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | J.劳夫;D.克莱默 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；施加于基板(107)的多层涂层(108)；以及施加于多层涂层(108)并具有吸收体材料的掩模结构(109)，该掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。本发明还涉及具有这种掩模(105)的EUV光刻系统以及优化掩模(105)的成像的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 系统 优化 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种用于EUV光刻的掩模(105)，其包含：基板(107)；多层涂层(108)，其施加于所述基板(107)；以及掩模结构(109)，其施加于所述多层涂层(108)并具有吸收体材料，所述掩模结构(109)具有小于100nm的最大厚度，优选地不超过30nm的最大厚度，尤其优选地是20nm，尤其是10nm。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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