[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201180029852.8 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102947936A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | L.赫佩尔;N.冯马尔姆 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/40;H01L33/38;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;朱海煜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有步骤：－提供n导通层（2），－将p导通层（4）布置在n导通层（2）上，－将金属层序列（5）布置在p导通层（4）上，－将掩模（6）布置在金属层序列（5）的背向p导通层（4）的侧上，－在使用掩模（6）的情况下局部地侵蚀金属层序列（5）并且暴露p导通层（4），以及－在使用掩模（6）的情况下局部地中和或去除p导通层（4）的所暴露的区域（4a）直至n导通层（2），其中－金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），以及－金属层序列（5）的镜层（52）朝向p导通层（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
用于制造光电子半导体芯片的方法，具有步骤：－ 提供n导通层（2），－ 将p导通层（4）布置在n导通层（2）上，－ 将金属层序列（5）布置在p导通层（4）上，－ 将掩模（6）布置在金属层序列（5）的背向p导通层（4）的侧上，－ 在使用掩模（6）的情况下局部地侵蚀金属层序列（5）并且暴露p导通层（4），以及－ 在使用掩模（6）的情况下局部地中和或去除p导通层（4）的所暴露的区域（4a）直至n导通层（2），其中－ 金属层序列（5）包括至少一个镜层（51）和阻挡层（52），以及－ 金属层序列（5）的镜层（52）朝向p导通层（4）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180029852.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
