[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件有效
| 申请号： | 201180030498.0 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102947930A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;志贺豪士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;C09J7/02;H01L21/301;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 半导体 背面 切割 集成 半导体器件 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，其中相对于热固化前的所述倒装芯片型半导体背面用膜的总体积，所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为2体积%以上至不大于30体积%。
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