[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201180031634.8 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103748667A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳;伊藤一彦;伊東浩二 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、Al2O3、MO、镍氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K（其中，在上述MO中，M表示碱土金属）。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用“以硅酸铅为主要成分的玻璃材料”同样的高耐压半导体装置。另外，通过电泳法形成的“由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层”，可以抑制在烧制过程中从与半导体基体（硅）的临界面产生的气泡的产生，从而可以抑制半导体装置的反方向耐压特性的劣化等情况的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 保护 玻璃 复合物 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、Al2O3、MO、以及，“从镍氧化物、铜氧化物及锰氧化物构成的群中选择的至少1种金属氧化物”，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。（其中，所述MO中的M表示碱土金属。）
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社，未经新电元工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180031634.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
