[发明专利]锂铁硅酸盐阴极材料及其制造无效
| 申请号： | 201180031983.X | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102958836A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | S·塔恩;J·托马斯;H·安德松;T·古斯塔夫松 | 申请（专利权）人： | 霍加纳斯股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20;H01M4/525 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 瑞典霍*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造锂插入材料的方法，包括以下步骤：提供含铁化合物、含锂化合物和含硅酸盐化合物；提供溶剂；使所述化合物在所述溶剂中溶解以获得溶液；在1个大气压以及高于1个大气压的压力下，使所述溶液经受高于所述溶液的沸点的温度，以获得沉淀物；以及从所述溶液过滤所获得的沉淀物，并对所述沉淀物进行清洗和干燥。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸盐 阴极 材料 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种制造锂插入材料的方法，包括以下步骤：‑提供含铁化合物、含锂化合物和含硅酸盐化合物，‑提供溶剂，‑使所述化合物在所述溶剂中溶解以获得溶液，‑在1个大气压以及高于1个大气压的压力下，使所述溶液经受高于所述溶液的沸点的温度，以获得沉淀物，以及‑从所述溶液过滤所获得的沉淀物，并对所述沉淀物进行清洗和干燥。
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