[发明专利]碳化硅基板、半导体装置及SOI晶圆无效
| 申请号： | 201180032357.2 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103003937A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 川本聪;中村将基 | 申请（专利权）人： | 三井造船株式会社;株式会社ADMAP |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;C30B29/36;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高频损失少，且显示优异散热性的碳化硅基板。碳化硅基板S具备：由多结晶碳化硅构成的第1碳化硅层1、及由形成于第1碳化硅层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2碳化硅层2，第2碳化硅层2具有比第1碳化硅层1更小的高频损失，且第1碳化硅层1具有比第2碳化硅层2更大的热传导率，第2碳化硅层2的表面侧在频率20GHz的高频损失为2dB/mm以下，热传导率为200W/mK以上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 soi 晶圆 | ||
【主权项】：
一种碳化硅基板，其特征在于：具备由多结晶碳化硅构成的第1层、及由形成于所述第1层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2层，所述第2层具有比所述第1层更小的高频损失，且所述第1层具有比所述第2层更大的热传导率。
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