[发明专利]光接收器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180032436.3 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102959736A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 秋田胜史;石塚贵司;藤井慧;中幡英章;永井阳一;稻田博史;猪口康博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。 | ||
| 搜索关键词： | 接收器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电检测器，所述光电检测器包括在III‑V族半导体衬底上的II型多量子阱（MQW）结构的吸收层，并且在包括1.3μm和2.0μm的波长的近红外区域中具有灵敏度，所述II型多量子阱（MQW）结构包含第一化合物半导体和第二化合物半导体的重复结构，其中，在1.3μm的波长处的灵敏度与在2.0μm的波长处的灵敏度的比率不小于0.5，但不大于1.6。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
