[发明专利]光电子组件有效
| 申请号： | 201180032886.2 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102971872A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;克里斯特·贝格内克;于尔根·莫斯布格尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种光电子组件（100），所述光电子组件具有-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由半导体器件（1）发射的电磁辐射；-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或由所述过滤颗粒形成，其中-过滤机构（3）将由半导体器件（1）发射的电磁辐射中的至少一个可预设的波长范围与和该可预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且-过滤颗粒（31）具有以Q0测量的最低0.5nm至最高500nm的d50值和/或-过滤颗粒（31）至少局部地丝状地构成并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 组件 | ||
【主权项】：
光电子组件（100），具有‑至少一个发射辐射的半导体器件（1）；‑至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由所述半导体器件（1）发射的电磁辐射；‑至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或者由所述过滤颗粒形成，其中‑所述过滤机构（3）将由所述半导体器件（1）发射的所述电磁辐射的至少一个能够预设的波长范围与和所述能够预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且‑所述过滤颗粒（31）具有以Q0测量的、最低0.5nm到最高500nm的d50值，和/或‑所述过滤颗粒（31）至少局部地构成是丝状的并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。
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