[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180032956.4 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102971853A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了具有稳定特性和高质量的半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。该半导体器件包括具有主表面的衬底（1）和碳化硅层（2至5）。该碳化硅层形成在衬底（1）的主表面上。碳化硅层中的每一个具有作为相对于主表面倾斜的端表面的侧表面。在碳化硅层是六方晶型时，侧表面基本上包含{03-3-8}面和{01-1-4}面中的一种，并且在碳化硅层是立方晶型时，侧表面基本上包含{100}面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底（1、31），所述衬底（1、31）具有主表面；以及碳化硅层，所述碳化硅层形成在所述衬底（1、31）的所述主表面上，所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）包括相对于所述主表面倾斜的端表面（20），在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是六方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{03‑3‑8}面和{01‑1‑4}面之一，并且在所述碳化硅层（2至5、32至35、42、43）是立方晶型的情况下，所述端表面（20）基本上包括{100}面。
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