[发明专利]含氟芳香族化合物、有机半导体材料和有机薄膜器件无效
| 申请号： | 201180033459.6 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102971283A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木崇;武部洋子;伊藤昌宏 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07C43/225 | 分类号： | C07C43/225;C07D333/18;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机半导体材料，其将能够实际用作有机半导体材料的π共轭化合物作为电荷输送材料使用、液晶性优异且能够容易地应用于涂装工艺。本发明提供由式：Q（W－ArF（Z）k）n表示的含氟芳香族化合物。式中，Q是从苯环或杂环的单环结构或者多环集合结构或稠合多环结构中除去n（n＝2或3）个氢原子而得的n价的芳香族烃基。W是具有碳原子数为2的不饱和键的烃基。ArF是k＋1价（k＝1～3）的含氟芳香族烃基。Z是选自－R、－OR、－Rf等中的1价有机基团。其中，R是碳原子数1～12的烷基，Rf是碳原子数1～12的氟取代烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 芳香族 化合物 有机 半导体材料 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
1.由下述式（1）表示的含氟芳香族化合物，![]()
式（1）中的符号如下所示，Q：具有环结构且除去与构成所述环的碳原子键合的n个氢原子而得的n价芳香族烃基，所述环结构选自由1个苯环或1个含有杂原子的杂环构成的单环结构、2个以上该苯环或杂环以单键键合而成的多环集合结构、以及2个以上所述苯环或杂环的稠合多环结构，n：2或3，W：具有碳原子数为2的不饱和键的2价烃基，ArF：是具有由1个苯环构成的单环结构或2个以上苯环的稠合多环结构并除去与构成所述环的碳原子键合的k＋1个氢原子而得的k＋1价的基团，并且是与构成所述环的碳原子键合的1个以上氢原子被氟原子取代而得的k＋1价的含氟芳香族烃基，k：1～3的整数，Z：选自－R、－OR、－CH2－OR、－Rf、－O－（CH2）p－Rf、－CH2－O－（CH2）p－Rf中的1价有机基团，其中，R是碳原子数1～12的烷基，Rf是碳原子数1～12的氟取代烷基，p是0～2的整数。
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