[发明专利]导电层压结构、电互连件及形成电互连件的方法有效
| 申请号： | 201180033816.9 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103003921A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含电互连件。所述互连件可含有具有夹在非石墨烯区之间的石墨烯区的层压结构。在一些实施例中，所述石墨烯区与非石墨烯区可嵌套在彼此内。在一些实施例中，电绝缘材料可在所述层压结构的上部表面上方，且开口可穿过所述绝缘材料延伸到所述层压结构的一部分。导电材料可在所述开口内且与所述层压结构的所述非石墨烯区中的至少一者电接触。一些实施例包含形成电互连件的方法，其中非石墨烯材料与石墨烯交替地形成于沟槽内以形成嵌套的非石墨烯区与石墨烯区。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 层压 结构 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电层压结构，其包括夹在一对非石墨烯区之间的石墨烯区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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