[发明专利]线性批量化学气相沉积系统有效
申请号: | 201180033855.9 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102985592A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | P·斯费尔拉佐 | 申请(专利权)人: | 艾文达技术股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此描述了一种线性批量CVD系统,该系统包括一个沉积室、一个或多个基底托架、多个气体喷射器以及一个加热系统。每个基底托架都置于该沉积室中并且具有至少一个被配置成接收一个基底的接收座。这些基底托架被配置成将多个基底以一个线性配置的方式保持。每个气体喷射器都包括一个端口,该端口被配置成横过一个或多个这些基底以一种均匀分布的方式来供应一种气体。该加热系统包括至少一个加热元件和用于均匀地控制这些基底的温度的一个加热控制模块。这个系统适用于对多个基底的高容量CVD处理。这个沉积室的窄宽度使前驱气体在这些基底上沿该反应室的长度能够均匀地分布,并且与常规的沉积室相比,允许对更多数量的基底进行处理。 | ||
搜索关键词: | 线性 批量 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种线性批量化学气相沉积(CVD)系统,包括:一个沉积室;至少一个基底托架,该基底托架被置于该沉积室中并且具有至少一个被配置成接收一个基底的接收座,这些基底托架被配置成将多个基底以一个线性配置的方式保持;多个气体喷射器,这些气体喷射器各自包括一个端口,该端口被配置成横过一个或多个这些基底以均匀分布的方式来供应一种气体;以及一个加热系统,该加热系统包括至少一个加热元件和用于均匀地控制这些基底的温度的一个加热控制模块。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的