[发明专利]用于去离子水的碳酸化的装置、系统及方法有效
| 申请号： | 201180034072.2 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102986008A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | J·赛韦特;U·布拉默;C·戈茨查克;J·洛尔 | 申请（专利权）人： | MKS仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于湿法清洁半导体器件的装置、系统和方法。具体地，提供能输送具有期望浓度CO2的去离子水的系统，以及生成用于湿法清洁半导体器件的具有期望浓度CO2的去离子水的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子水 碳酸 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于使去离子水碳酸化的系统，包括：去离子水源；二氧化碳气体源；接触器，所述接触器经由所述接触器的至少一个入口与所述去离子水源和所述二氧化碳气体源流体连通，所述接触器产生碳酸化的去离子水；至少一个传感器，所述至少一个传感器与所述接触器的所述至少一个入口或至少一个出口流体连通，用于测量所述去离子水的流速以及所述去离子水的温度；以及控制器，所述控制器与所述至少一个传感器以及所述二氧化碳气体源通信，用于确定所述二氧化碳气体源提供给所述接触器的二氧化碳气体的量，使得在所述接触器中产生特定电导率的碳酸化的去离子水，其中所述确定基于所测得的流速和温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
