[发明专利]碳化硅双极结晶体管的电导率调制无效
| 申请号： | 201180034492.0 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102986033A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 贝内德托·博诺;马丁·多梅杰 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/04;H01L29/10;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的方法以及一种SiC BJT。SiC BJT（100）包括集电极区域（120）、基极区域（140）、以及发射极区域（160）。本发明的方法包括以下步骤：提供设置在基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由基极区域（140）和发射极区域（160）构成。通过调节影响中间区域（180）内少数载流子的扩散电流的中间区域（180）的至少一个参数，确定集电极区域（120）内电导率调制的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结晶体 电导率 调制 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅双极结晶体管（100）BJT的方法，包括集电极区域（120）、基极区域（140）以及发射极区域（160），其中，所述方法包括以下步骤：提供设置在所述基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带（145）之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由所述基极区域和所述发射极区域形成，其中，通过增大中间区域的掺杂级来提高所述集电极区域内电导率调制的程度，从而使从本征基极区域到所述接触带的少数载流子的扩散电流减少，所述中间区域的掺杂级至少为1×1018cm‑3。
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