[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的目的之一在于提供一种具有即使没有电力供给也能够保持存储数据数据且对写入周期的数量也没有限制的新颖结构的半导体器件。该半导体器件包括具有第一晶体管、第二晶体管以及置于第一晶体管的源区或漏区与第二晶体管的沟道形成区之间的绝缘层的存储单元。第一晶体管与第二晶体管设置成彼此至少部分重叠。绝缘层与第二晶体管的栅极绝缘层满足公式（（ta/tb）×（εrb/εra）＜0.1，其中，ta表示栅极绝缘层的厚度，tb表示绝缘层的厚度，εra表示栅极绝缘层的介电常数，并且εrb表示绝缘层的介电常数。

主权项

一种半导体器件，包括：存储单元，包括：第一晶体管，包括：第一沟道形成区；所述第一沟道形成区上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一沟道形成区重叠；以及源区及漏区，其中所述第一沟道形成区夹在所述源区和所述漏区之间；第二晶体管包括：第二沟道形成区；与所述第二沟道形成区电连接的源电极及漏电极；所述第二沟道形成区上的第二栅电极；以及所述第二沟道形成区和所述第二栅电极之间的第二栅极绝缘层；以及所述源区和所述漏区之一与所述第二沟道形成区之间的绝缘层，其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管彼此至少部分重叠，并且，所述第二栅极绝缘层和所述绝缘层满足公式： t a t b · ϵ rb ϵ ra < 0.1 其中，ta表示所述第二栅极绝缘层的厚度，tb表示所述绝缘层的厚度，εra表示所述第二栅极绝缘层的介电常数，并且εrb表示所述绝缘层的介电常数。