[发明专利]用于移除蚀刻后残余物的水性清洁剂无效
| 申请号： | 201180035063.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103003923A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·巴恩斯;斯蒂芬·里皮;张鹏;里卡·拉贾拉姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于自其上具有等离子体蚀刻后残余物的微电子器件清洁该残余物的清洁组合物及方法。该组合物实现包括含钛、含铜、含钨、和/或含钴蚀刻后残余物的残余材料自微电子器件的高度有效清洁，同时不会损坏层间介电质、金属互连材料、和/或覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 残余物 水性 清洁剂 | ||
【主权项】：
水性清洁组合物，其包含至少一种腐蚀抑制剂、水、任选的至少一种螯合剂、任选的至少一种蚀刻剂、任选的至少一种钝化剂、及任选的至少一种复合剂，其中，该水性清洁组合物适用于自其上具有等离子体蚀刻后残余物的微电子器件清洁该残余物。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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