[发明专利]用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备有效

专利信息
申请号: 201180035123.3 申请日: 2011-06-01
公开(公告)号: CN103003912A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: F·托瑞格罗萨;L·洛克斯 申请(专利权)人: 离子射线服务公司
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01J37/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 魏小薇
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备,该设备包括:估算注入电流的估算模块CUR,次生电子检测器DSE,以及用于通过注入电流与来自次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路CC。此外,高能次生电子检测器DSE包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器:-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极,该电极具有至少一个允许电子通过的孔;-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极,该电极也具有至少一个允许电子通过的孔;-选择电极,该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。
搜索关键词: 用于 等离子体 浸没 离子 注入 剂量 测量 设备
【主权项】:
一种用于离子注入的剂量测量设备,该设备包括:估算注入电流的估算模块(CUR),次生电子检测器(DSE),用于通过所述注入电流与来自所述次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路(CC),其特征在于,所述高能次生电子检测器包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器(COL,P):-用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极(G1,A1,T1),该电极具有至少一个允许电子通过的孔;-用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极(G2,A2,T2),该电极也具有至少一个允许电子通过的孔;-选择电极(G3,A3,T3),该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。
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