[发明专利]用于通过分子间附着将两个晶片键合在一起的方法和装置无效
| 申请号： | 201180035139.4 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103003933A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | A·卡斯泰;M·布罗埃卡特 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过分子间附着将第一晶片（202）键合到第二晶片（206）上的方法，所述方法包括，施加用于所述第一晶片（202）和所述第二晶片（206）之间的键合波的启动点（216），所述方法进一步包括，当所述键合波在所述第一晶片和所述第二晶片之间传播时，大体朝向所述键合波的启动点（216），在所述第一晶片（202）和所述第二晶片（206）之间喷射气体流（228）。本发明还提供了一种用于进行所述键合方法的键合装置（215）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 分子 附着 两个 晶片 合在一起 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种通过分子间附着将第一晶片（202）键合到第二晶片（206）上的方法，所述方法包括，施加用于所述第一晶片和所述第二晶片之间的键合波（222）的启动点（216），所述方法的特征在于，所述方法进一步包括，当所述键合波在所述第一晶片和所述第二晶片之间传播时，朝向所述键合波的启动点，在所述第一晶片和所述第二晶片之间喷射气体流（228）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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