[发明专利]零功率泄露按钮控件有效

专利信息
申请号: 201180035298.4 申请日: 2011-07-14
公开(公告)号: CN103004093A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: P·G·扬科沃伊;B·D·伯奇 申请(专利权)人: 伯斯有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H04R5/033;H04R5/04;H02M1/36
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;陈姗姗
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 多个常开按钮开关被耦合到一对MOSFET并且与该对MOSFET协同操作以为该多个按钮开关的每一个按钮开关提供针对个人音频设备的电源开启开关功能,其中该个人音频设备不要求从功率源汲取功率以用于监视按钮开关的每一个,或者用于在等待按钮开关之一的操作以使个人音频设备电源开启的同时识别手动操作了按钮开关的哪一个以开启该个人音频设备的电源。
搜索关键词: 功率 泄露 按钮 控件
【主权项】:
一种装置,包括:多个常开可手动操作的开关;第一MOSFET,具有耦合到所述多个开关的每一个开关的第一栅极以及耦合到功率源的高电势端子以从其接收电功率的第一源极;第二MOSFET,具有耦合到所述功率源的低电势端子的第二源极,同样耦合到所述第一MOSFET的所述第一栅极的第二漏极,以及通过至少所述第一MOSFET的所述第一源极和第一漏极从所述功率源接收电功率的第二栅极;控制器,耦合到所述第一漏极并且包括多个开关输入,其中所述多个开关的每一个开关耦合到所述多个开关输入的一个开关输入;并且其中闭合所述多个开关的所述开关之一将所述第一栅极耦合到所述功率源的所述低电势端子,使所述第一MOSFET进入导通状态,通过所述第一MOSFET向所述第二栅极并且向所述控制器提供高电势,使所述第二MOSFET进入导通状态,向所述第一栅极提供低电势以将所述第一MOSFET和第二MOSFET锁存在导通状态,并且使得所述控制器能够锁存所述多个开关输入的状态并且识别所述开关中的哪一个被闭合。
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