[发明专利]反射型可变光衰减器有效
申请号: | 201180035334.7 | 申请日: | 2011-06-27 |
公开(公告)号: | CN103003738B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 小野博章;中田英则;河合博贵;大田犹子;中村太郎 | 申请(专利权)人: | 湖北工业株式会社 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09;G02B27/28 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 日本滋贺*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种使法拉第转子磁饱和的机构等小型化、简化的可变光衰减器。该可变光衰减器沿光轴依次设置光输入输出口、双折射元件(11)、可变偏振波旋转机构(14)、反射体(15)。可变偏振波旋转机构包括:永久磁铁(21),该永久磁铁对法拉第转子(20)的面内方向施加固定磁场,以便实现磁饱和;以及螺旋管(22),其对法拉第转子的光轴方向施加可变磁场。另外,永久磁铁的固定磁场在容易磁饱和的<211>方向施加。由此,可通过1000e左右的小磁场实现饱和,永久磁铁可采用磁力弱的铁氧体类,可变磁场小也无妨,因此可通过空芯的线圈而实现。 | ||
搜索关键词: | 反射 可变 衰减器 | ||
【主权项】:
一种反射型可变光衰减器,其沿光轴依次设置:光输入输出部、具有法拉第转子的光衰减机构部、反射体,上述光衰减机构部包括:永久磁铁,该永久磁铁对上述法拉第转子的面内方向施加固定磁场,以便实现磁饱和;以及可变磁场发生机构,该可变磁场发生机构对上述法拉第转子的光轴方向施加可变磁场;上述永久磁铁通过与上述法拉第转子的光轴相交叉的方向的侧面相对来设置,上述永久磁铁为铁氧体类永久磁铁,上述可变磁场发生机构为空芯线圈,在上述空芯线圈的内部空间内部设置上述法拉第转子和上述永久磁铁。
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