[发明专利]利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程

摘要

使用下述编程技术来收窄非易失性存储器装置（196）中的阈值电压分布（A、B、C），并且/或者减少编程时间，在该编程技术中：以与编程电压的逐步增加步伐一致的方式，逐步增加具有目标数据状态（402、404、406）的存储元件的位线电压。对于存储元件的不同子集，根据其目标数据状态（402、404、406），在编程通过中的不同时间执行位线电压的逐步增加。可以基于固定的编程脉冲编号或适应性地基于编程处理来设置位线电压（Vbc）的逐步增加的开始和结束。变型包括使用固定的位线步、变化的位线步、依赖数据状态的位线步、针对一个或更多个数据状态不逐步增加位线的选项、以及增加附加的位线偏压的选项。

主权项

一种用于对一组非易失性存储元件进行编程的方法，包括：将一组编程脉冲（1005、1010、…）施加到该组非易失性存储元件（155），该组非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件与相应位线（BL0、BL1、…）相关联，该组非易失性存储元件包括非易失性存储元件的不同子集，每个子集被编程到多个目标数据状态（A、B、C）当中的相应目标数据状态的相应校验电平（Vva、Vvb、Vvc），非易失性存储元件的所述不同子集包括被编程到一个相应目标数据状态的一个相应校验电平的、非易失性存储元件的一个子集；在该组编程脉冲期间，针对非易失性存储元件的所述一个子集，确定何时满足第一触发条件；以及当满足所述第一触发条件时，以与该组编程脉冲中的多个连续编程脉冲中的每个编程脉冲步伐一致的方式，逐步增加所述一个子集中的尚未被锁定为不编程的非易失性存储元件的相应位线的电压（Vbl）。