[发明专利]具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管有效
| 申请号： | 201180035832.1 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103053025B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | L·希弗伦;P·拉纳德;L·斯卡德;S·E·汤普森 | 申请（专利权）人： | 三重富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,金鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极和掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱。屏蔽区域定位在所述阱与所述栅极之间且具有大于5×1018个掺杂剂原子/cm3的第二掺杂剂浓度。阈值电压设定区域由设置定位在所述屏蔽区域上方的阈值电压偏移平面形成。所述阈值电压设定区域可以由德尔塔掺杂形成且具有介于Lg/5与Lg/1之间的厚度。所述结构使用最小的晕环注入或不使用晕环注入来将沟道掺杂剂浓度保持在小于5×1017个掺杂剂原子/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 设定 掺杂 结构 先进 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管结构，包括：阱，掺杂有第一浓度的第一类型掺杂剂；屏蔽层，与所述阱接触，并且具有第二浓度的第一类型掺杂剂以设定耗尽深度，所述第二浓度大于5×1018个掺杂剂原子/cm3；以及均厚层，外延生长在所述屏蔽层上，所述均厚层包括沟道层和阈值电压设置层，所述沟道层具有第三浓度的第一类型掺杂剂，所述第三浓度小于5×1017个掺杂剂原子/cm3，所述阈值电压设置具有第四浓度的第一类型掺杂剂，其中所述阈值电压设置层与所述屏蔽层接触并且至少部分地通过设置阈值电压偏移平面形成，且所述阈值电压偏移平面定位在屏蔽区域上方，与所述屏蔽区域分离并且定位在所述沟道层下方。
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