[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201180036016.2 | 申请日: | 2011-07-21 |
公开(公告)号: | CN103155113A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 清濑浩巳;平木哲;渡部博 | 申请(专利权)人: | 仓敷纺织株式会社;株式会社化学工艺技术 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/308 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 杨晶;王琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种由于能够直接检测处理液的浓度,因而能够几乎不受处理液温度影响地进行独立的浓度控制,从而能够精度良好地对基板进行药液处理的基板处理装置。在将基板浸渍在将药液和稀释液混合而成的处理液中进行处理的基板处理装置中,包括:处理槽(1),贮留处理液;加热单元(2、3),加热处理液;温度检测单元(4),检测处理液的温度;温度控制单元(5),操作所述加热单元(2、3)以使检测温度接近设定温度;补充单元(6),将稀释液补充到处理液中;浓度检测单元(7),通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度;以及浓度控制单元(8),操作所述补充单元(6)以使检测浓度接近设定浓度。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,对将药液与稀释液混合而成的处理液进行加热,将基板浸渍在该处理液中进行处理,其特征在于,在该基板处理装置中包括:处理槽,贮留处理液;加热单元,加热处理液;温度检测单元,检测处理液的温度;温度控制单元,操作所述加热单元以使该温度检测单元检测出的温度接近设定温度;补充单元,将稀释液补充到处理液中;浓度检测单元,通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度;以及浓度控制单元,操作所述补充单元以使该浓度检测单元检测出的浓度接近设定浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造