[发明专利]高速、宽光学带宽和高效谐振腔增强的光电检测器有效
申请号: | 201180036050.X | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN103026504A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | O·I·多孙穆;A·刘 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/0216 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 单个光学接收机具有光电检测器,其具有宽光学带宽和在宽光学带宽内的高效率,所述光电检测器包括:第一掺杂类型的第一二极管区,用以接收光;第二掺杂类型的第二二极管区,具有第二厚度;活性区,用于将所接收的光转换为电子信号,所述活性区具有第三厚度,并被配置为位于所述第一二极管区与所述第二二极管区之间;以及反射器,耦合到所述第二二极管区,具有第四厚度的硅层,所述硅层位于第五厚度的氧化硅层之间,其中,所述活性区被配置为吸收波长小于900nm的光,并且其中,所述反射器被配置为反射波长范围为1260nm到1380nm的光。 | ||
搜索关键词: | 高速 光学 宽和 高效 谐振腔 增强 光电 检测器 | ||
【主权项】:
一种光电检测器,包括:第一掺杂类型的第一二极管区,用以接收光;第二掺杂类型的第二二极管区,具有第二厚度;活性区,用于将接收的光转换为电子信号,所述活性区具有第三厚度,并被配置为位于所述第一二极管区与所述第二二极管区之间;以及反射器,耦合到所述第二二极管区,且具有第四厚度的硅层,所述硅层位于第五厚度的氧化硅层之间,其中,所述活性区的第三厚度被配置为吸收波长小于900nm的光,并且其中,所述反射器的第四和第五厚度被配置为反射波长范围为1260nm到1380nm的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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