[发明专利]用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法和设备

摘要

描述了一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法和装置，所述方法和装置用于制备在CVD反应器中得到后续处理的硅棒。在所述方法中，将硅棒安置在点燃装置内部，并且通过第一电源单元将第一电压施加到所述硅棒，其中所述电压足以点燃所述硅棒。随后，可选地，可通过电流并且/或者通过外部加热单元将所述硅棒加热至预定温度范围内的温度。随后，所述硅棒从所述点燃装置中移除，并且可暴露于CVD反应器内部的沉积工艺中。在CVD反应器外部点燃硅棒有利于使硅棒在沉积工艺过程中重新点燃。所述装置包括套管，所述套管具有用于容纳至少一根硅棒的腔室。在所述腔室中，布置了至少一对接触电极，以固持所述接触电极之间的至少一根硅棒。此外，设置了具有至少一个变压器的第一电源单元，其中所述变压器的每个输出端各自连接到一对接触电极中的一个接触电极。所述变压器包括足够高的开路电压，以预置所述硅棒中的电流。

主权项

一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法，用以制备在CVD反应器中得到后续处理的硅棒，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将硅棒安置在点燃装置中；通过第一电源单元将第一电压施加到所述硅棒，其中所述电压足以点燃所述硅棒；通过所述第一电源使所述硅棒导通电流，从而将所述硅棒加热至预定温度范围内的温度；以及从所述点燃装置中移除所述硅棒。