[发明专利]优化硅膜厚度均匀性的模具形状无效
| 申请号： | 201180036273.6 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103025925A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | G·B·库克;P·马宗达;B·苏曼 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B15/00;C30B19/06;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造半导体材料的固体层（140）的方法，该方法包括选择模具（100），该模具具有前缘厚度（104）和不同的后缘厚度（106），使得在固体层厚度与前缘和后缘在熔融半导体材料（120）中的有效浸入时间的各关系图中，与前缘和后缘相邻的固体层厚度基本相等。将模具浸入熔融半导体材料（120）中并取出，在该模具的外表面（102）上形成半导体材料的固体层。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 厚度 均匀 模具 形状 | ||
【主权项】：
一种形成半导体材料的固体层的方法，其包括：确定固体层的目标厚度；选择具有一定前缘厚度、后缘厚度以及分隔前缘和后缘的长度的模具，使得在将前缘和后缘分别浸入熔融半导体材料的第一和第二浸入时间内，在固体层厚度‑有效浸入时间的各曲线图中，与前缘和后缘相邻的固体层厚度基本等于目标厚度；和将模具浸入熔融半导体材料中并取出，在模具外表面上形成半导体材料的固体层，其中将模具前缘浸入第一浸入时间，将模具后缘浸入第二浸入时间。
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