[发明专利]从衬底表面去除污染物与原生氧化物的方法无效
| 申请号： | 201180036284.4 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103098177A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 萨瑟施·库珀奥;马尼施·赫姆卡;温德兰;金以宽 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各实施例一般涉及从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬底的上部，以形成具有增加厚度的氧化层。具有增加厚度的氧化层接着去除以暴露衬底的干净表面。去除氧化层一般包含去除存在于氧化层之中和之上的污染物，特别是那些存在于氧化层和衬底的界面处的污染物。外延层可接着形成于衬底的干净表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 去除 污染物 原生 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁衬底表面的方法，所述方法包括以下步骤：放置衬底于腔室中，所述衬底具有氧化层于所述衬底上，所述氧化层具有第一厚度；通过暴露所述衬底至氧化源而增加所述氧化层的厚度至第二厚度；从所述衬底去除所述氧化层；以及在去除所述氧化层后，在所述衬底上沉积材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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