[发明专利]用于加热基板的加热装置和方法有效
| 申请号： | 201180036622.4 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103222041A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 埃德温·平克;菲利普·霍茨 | 申请（专利权）人： | 东电电子太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;姚卫华 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理基板（2）的真空处理系统，其具有用于承载将在基板平面（4）中处理的所述基板（2）的壳体（1），所述壳体（1）包括第一反射装置（6）和加热装置（5），所述加热装置（5）具有第一平面（10）和相对的第二平面（11），所述加热装置（5）被构造为仅通过第一平面（10）和/或第二平面（11）辐射热能，所述第一反射装置（6）被构造为将由加热装置（5）辐射的热能反射到所述基板平面（4）上，并且所述加热装置（5）被设置成：使得所述第一平面（10）面对所述第一反射装置（6），并使得所述第二平面（11）面对所述基板平面（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加热 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板（2）的真空处理系统，其具有用于承载将在基板平面（4）中处理的基板（2）的壳体（1），所述壳体（1）包括第一反射装置（6）和加热装置（5），所述加热装置（5）具有第一平面（10）和相对的第二平面（11），所述加热装置（5）被构造为仅通过所述第一平面（10）和/或所述第二平面（11）来辐射热能，所述第一反射装置（6）被构造为将由所述加热装置（5）辐射的热能反射到所述基板平面（4）上，并且所述加热装置（5）被设置成：使得所述第一平面（10）面对所述第一反射装置（6），并使得所述第二平面（11）面对所述基板平面（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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