[发明专利]发射辐射的半导体芯片和用于制造发射辐射的半导体芯片的方法无效
| 申请号： | 201180036778.2 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103026510A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | D.艾斯勒;A.普勒斯尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;李浩 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明一种发射辐射的半导体芯片（1），其具有载体（5）和布置在载体上的具有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括被设置用于产生辐射的活性区域（23）、n导通区域（21）和布置在n导通区域的背向活性区域（23）一侧上的覆盖层（24）。在覆盖层上布置用于在外部电接触n导通区域的接触结构（4），并且覆盖层具有至少一个空隙（3），接触结构通过所述空隙延伸至n导通区域。此外说明一种用于制造半导体芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
发射辐射的半导体芯片（1），其具有载体（5）和布置在载体上的具有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括被设置用于产生辐射的活性区域（23）、n导通区域（21）和布置在n导通区域的背向活性区域（23）一侧上的覆盖层（24），其中在覆盖层（24）上布置用于在外部电接触n导通区域（21）的接触结构，并且覆盖层（24）具有至少一个空隙（3），接触结构（4）通过所述空隙延伸至n导通区域（21）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180036778.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗痛风病的药物组合物及其制备方法
- 下一篇：一种有进气阀的奶瓶
