[发明专利]三维存储器及形成所述三维存储器的方法

摘要

一些实施例包含一种存储器装置及形成所述存储器装置的方法。一个此种存储器装置包含存储器单元的第一群组，所述第一群组的所述存储器单元中的每一者形成于位于所述存储器装置的一个装置层级中的第一控制栅极的腔中。所述存储器装置还包含存储器单元的第二群组，所述第二群组的所述存储器单元中的每一者形成于位于所述存储器装置的另一装置层级中的第二控制栅极的腔中。本发明还描述额外设备及方法。

主权项

一种存储器，其包括：第一存储器单元，其位于存储器装置的第一装置层级中；第二存储器单元，其位于所述存储器装置的第二装置层级中；第一控制栅极，其形成于所述第一装置层级中，所述第一控制栅极用以控制对所述第一存储器单元的存取，其中所述第一存储器单元中的每一者包含形成于所述第一控制栅极的腔中的存储器元件，且所述第一控制栅极的所述腔通过所述第一控制栅极的一部分的侧壁、位于所述第一控制栅极的第一侧上的电介质材料、以及位于所述第一控制栅极的第二侧上且与所述第一控制栅极的所述第一侧上的所述电介质材料相对的另一电介质材料所形成；及第二控制栅极，其形成于所述第二装置层级中，所述第二控制栅极用以控制对所述第二存储器单元的存取，其中所述第二存储器单元中的每一者包含形成于所述第二控制栅极的腔中的存储器元件，且所述第二控制栅极的所述腔通过所述第二控制栅极的一部分的侧壁、位于所述第二控制栅极的第一侧上的电介质材料、以及位于所述第二控制栅极的第二侧上且与所述第二控制栅极的所述第一侧的所述电介质材料相对的另一电介质材料所形成。