[发明专利]制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管有效
| 申请号： | 201180037337.4 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103097113A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李钟览;孙俊豪;宋阳熙 | 申请（专利权）人： | 浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B29C59/02 | 分类号： | B29C59/02;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤；在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤；在p型电极上形成导电基板的步骤；通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤；在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤；通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤；将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 压印 模具 方法 利用 由此 发光二极管 以及 | ||
【主权项】：
一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体基板上涂覆纳米结构；利用所述纳米结构作为掩模通过干法刻蚀处理在所述半导体基板上形成半球形的纳米图案；以纳米压印的方式将形成在所述半导体基板上的所述半球形的纳米图案转印到纳米压印模具上；将上面转印了所述半球形的纳米图案的所述纳米压印模具与所述半导体基板分离开。
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