[发明专利]磁传感器装置有效

专利信息
申请号: 201180037420.1 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN103003711A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 尾込智和;白花良治;庄司俊明;武舎武史;井上甚;冈田正明 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毛立群;李浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过在输送纸币(5)的中空部(2)的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁(6)和第二磁铁(7),从而在中空部(2)形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币(5)的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币(5)与第一磁铁(6)之间设置AMR元件(10)。AMR元件(10)被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件(10)设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币(5)在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。
搜索关键词: 传感器 装置
【主权项】:
一种磁传感器装置,其中,具备:框体,具备作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝;第一磁铁,设置在所述中空部,沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极;第二磁铁,在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置,沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极,由此在与所述第一磁铁之间在所述输送方向形成连续的梯度磁场;磁阻效应元件,设置在所述被感测物与所述第一磁铁之间,具有输出端子,检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量,由此电阻值发生变化;多层基板,将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部,并且包围所述磁阻效应元件;电连接单元,对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接;以及树脂,覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元,所述磁阻效应元件设置在所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中,所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。
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