[发明专利]深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201180037699.3 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103038900A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | R·格斯卡;M·S·沙特洛娃;M·舒尔 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 侯海燕 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供深紫外发光二极管，该发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光异质结构，包括：n型接触层；和具有与n型接触层相邻的第一侧的光产生结构，该光产生结构包含量子阱组，其中，n型接触层的能量与量子阱组中的量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量，并且其中，光产生结构的宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。
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