[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201180037820.2 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103081071B | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 宇贺神肇;户泽茂树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于将收纳于处理室内的基板表面的Si系膜去除的基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在上述处理室内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与上述第1工序相比减压后的上述处理室内使上述反应生成物气化，上述第1工序和上述第2工序反复进行两次以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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