[发明专利]薄膜晶体管基板无效
申请号: | 201180037969.0 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN103053027A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,在薄膜晶体管基板中获得漏极电极与像素电极间的良好的接触。漏极电极(25d)具有由第一导电膜(25dp)和设置在第一导电膜(25dp)的上层且包含铝的第二导电膜(25dq)层叠而成的结构,第二导电膜(25dq)与第一接触孔(27a)分离,由此在两者之间形成与第一接触孔(27a)连通的空隙部(28a),像素电极(29)被设置成与漏极电极(25d)中的第二导电膜(25dq)不接触。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包括:基板;薄膜晶体管,其具有设置在所述基板上的栅极电极、以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜、设置在该栅极绝缘膜的上层且在与所述栅极电极相对的位置具有沟道部的氧化物半导体膜、以及在该氧化物半导体膜上隔着所述沟道部彼此分离设置的源极电极和漏极电极;层间绝缘膜,其以覆盖所述薄膜晶体管的方式设置在所述栅极绝缘膜的上层,且具有到达所述漏极电极的第一接触孔;和像素电极,其设置在所述层间绝缘膜上,通过所述第一接触孔与所述漏极电极电连接,其中,所述漏极电极具有由第一导电膜和设置在该第一导电膜的上层且包括铝的第二导电膜层叠而成的结构,所述第二导电膜与所述第一接触孔分离,由此在两者之间形成有与该第一接触孔连通的空隙部,所述像素电极被设置成与所述漏极电极中的所述第二导电膜不接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180037969.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于电感储能的串联电池组双向无损均衡电路
- 下一篇:一种充电电路
- 同类专利
- 专利分类