[发明专利]表面处理荧光体及表面处理荧光体的制造方法无效
| 申请号： | 201180037976.0 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN103052699A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙仁德;中谷康弘;大村贵宏 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/59;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以不降低荧光特性地大幅度改善耐湿性、并且具有高分散性的表面处理荧光体及该表面处理荧光体的制造方法。本发明的表面处理荧光体是具有含有碱土类金属及硅的荧光体母体、和含有碱土类金属、硅及周期表第4～6族的特定元素的表面处理层的表面处理荧光体，在利用电子显微镜及附设于其中的能量分散型X射线元素分析测定表面处理层的截面厚度方向的元素分布的情况下，特定元素的含量的最大峰位置比硅的含量的最大峰的位置更靠近表面侧，并且所述荧光体母体及表面处理层中的硅的含量满足下述(1)式：[数1]S1＜S2 (1)式(1)中，S1表示荧光体母体中的硅的含量、S2表示表面处理层中的硅的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 荧光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种表面处理荧光体，其特征在于，具有含有碱土类金属及硅的荧光体母体、以及含有碱土类金属、硅及周期表第4～6族的特定元素的表面处理层，在利用电子显微镜及附设于其中的能量分散型X射线元素分析测定表面处理层的截面厚度方向的元素分布的情况下，特定元素的含量的最大峰的位置比硅的含量的最大峰的位置更靠近表面侧，并且所述荧光体母体及表面处理层中的硅的含量满足下述(1)式：[数1]S1＜S2 (1)式(1)中，S1表示荧光体母体中的硅的含量、S2表示表面处理层中的硅的含量。
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