[发明专利]具有原位表面钝化的离子注入选择发射极太阳能电池

摘要

本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。根据本发明的一个实施方式，太阳能电池的制造方法包括：提供一个p-型掺杂硅基底，以及通过离子注入将n-型掺杂剂引入基底的前面的第一区和第二区，第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度。基底进行一次高温退火循环，以激活掺杂剂、驱动掺杂剂进入基底、生成p-n结，以及形成选择发射极。在一次退火循环中可以引入氧，形成原位前面和后面钝化氧化层，在一次共烧操作中可以进行前面和后面触点的烧透和与触点连接的金属化。本发明还公开了一种太阳能电池。

主权项

一种选择发射极太阳能电池的制造方法，包括：提供一个包括p‑型基极层的基底；通过离子注入将掺杂剂引入p‑型基极层的前面的至少一个第一区；通过离子注入将掺杂剂引入p‑型基极层的前面的至少一个第二区，其中，第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度，且引入第一区和第二区的掺杂剂具有n‑型电导率；对基底进行退火处理，其中，退火处理包括将基底在炉中加热至一个温度，以：修复注入损伤；激活第一区和第二区的掺杂剂；以及驱使第一区和第二区的掺杂剂深入基底，在p‑型基极层的前面形成选择发射层；以及在退火步骤中将氧引入炉中，以至少在选择发射层的前面形成钝化氧化层。