[发明专利]包括具有在其侧壁上增强的氮浓度的SiON栅电介质的MOS晶体管

摘要

一种形成集成电路的方法（100），该集成电路具有至少一个MOS器件，该方法包括在硅表面上形成SiON栅电介质层（101，102，103），在SiON栅层上淀积栅电极层（104），并且接着进行图形化（105）从而形成栅堆叠并暴露栅电介质侧壁。接着在暴露的SiON侧壁上形成（106）补充的氧化硅层，之后进行氮化（107）和氮化后退火（108）。这得到包括N增强型SiON侧壁的退火的N增强型SiON栅电介质层，其中，沿着恒定厚度的线，在N增强型SiON侧壁处的氮浓度＞退火的N增强型SiON栅层的体内的氮浓度-2at.%。

主权项

一种形成集成电路的方法，所述集成电路包括在晶圆上的至少一个MOS器件，所述晶圆具有包括硅的顶表面，所述方法包括：在所述顶表面上形成SiON栅电介质层；在所述栅电介质层上淀积栅电极层；对所述栅电极层图形化，从而形成栅堆叠，由此通过所述图形化暴露SiON侧壁和栅电极侧壁；在暴露的所述SiON侧壁上形成补充的氧化硅层；氮化所述补充层；在所述氮化以后，执行退火，由此形成包括N增强型SiON侧壁的退火的N增强型SiON栅电介质层；其中，沿着所述退火的N增强型SiON栅层的恒定厚度的线，在所述N增强型SiON侧壁处的氮浓度≥所述退火的N增强型SiON栅层的体内的氮浓度‑2at.%；以及在所述栅堆叠的相对侧上形成彼此间隔开的源极区和漏极区，从而定义所述栅堆叠下面的沟道区。