[发明专利]用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程

摘要

一种制造可转印半导体器件的方法包括在衬底上提供包括磷化铟铝的释放层，并且在所述释放层上提供支撑层。所述支撑层和所述衬底包括各自的材料，如基于砷化物的材料，以使得所述释放层相对于所述支撑层和所述衬底具有蚀刻敏感性。在所述支撑层上提供至少一个器件层。选择性地蚀刻所述释放层，而基本上不蚀刻所述支撑层和所述基板。还公开了相关结构和方法。

主权项

一种制造可转印半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上提供包括磷化铟铝的释放层；在所述释放层上提供支撑层，所述支撑层和所述衬底包括各自的材料以使得所述释放层相对于所述支撑层和所述衬底具有蚀刻选择性；在所述支撑层中形成锚固和/或栓固结构；在所述支撑层上提供至少一个器件层；以及选择性蚀刻所述释放层，而不蚀刻所述支撑层和所述衬底，其中所述锚固和/或栓固结构被配置成在所述选择性蚀刻期间和之后维持所述半导体器件的空间定向。