[发明专利]存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201180039043.5 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103098138A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个方面中，一种操作存储器单元的方法包含使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。在一个方面中，存储器单元包含具有接纳于其之间的材料的第一及第二相对电极。所述材料具有相对于彼此为不同组成的第一及第二横向区域。沿着所述材料的两个横向相对边缘中的一者接纳所述第一及第二横向区域中的一者。沿着所述材料的所述两个横向相对边缘中的另一者接纳所述第一及第二横向区域中的另一者。所述第一及第二横向区域中的至少一者能够重复地编程到至少两个不同电阻状态。本发明揭示其它方面及实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 非易失性存储器 阵列 操作 方法 读取 写入 以及 编程 | ||
【主权项】：
一种操作存储器单元的方法，其包括使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。
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