[发明专利]高电压低电流表面发射LED无效
| 申请号： | 201180039581.4 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103038899A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | J.伊贝森;S.黑克曼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐小会;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种LED芯片包括子基板上的多个子LED。包括导电和电绝缘特征，所述特征使所述子LED串联互连以使得施加到所述串联互连的子LED的电信号沿所述导电特征扩散到所述串联互连的子LED。包括布置成将所述子LED中的一个子LED电耦接到所述子基板的通路。所述子LED可以通过所述导电特征中的多于一个的导电特征互连，其中每个导电特征能够在所述子LED中的两个子LED之间扩散电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 压低 电流 表面 发射 led | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：子基板上的多个子LED；导电和电绝缘特征，所述特征使所述子LED串联互连以使得施加到所述串联互连的子LED的电信号沿所述导电特征扩散到所述串联互连的子LED；以及布置成将所述子LED中的一个子LED电连接到所述子基板的通路。
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