[发明专利]阻性存储设备的写入和擦除方案有效
| 申请号： | 201180039621.5 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103069495A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | H·纳扎里安;赵星贤 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于编程双端阻性存储设备的方法，该方法包括：将偏置电压施加到设备的阻性存储单位的第一电极；测量流过单位的电流；以及如果所测量的电流等于或大于预定值，则停止施加偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 写入 擦除 方案 | ||
【主权项】：
一种用于编程双端阻性存储设备的方法，该方法包括：将偏置电压施加到所述设备的阻性存储单位的第一电极；测量流过所述单位的电流；以及如果所测量的电流等于或大于预定值，则开始终止过程以停止施加该偏置电压。
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