[发明专利]有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法有效
申请号: | 201180039763.1 | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN103069555B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 长谷川达生;峰回洋美;山田寿一;松井弘之 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的第一课题是提供有机半导体薄膜的制造方法,其在利用印刷法制造由单成分的有机分子构成的有机半导体薄膜时,可以制造在某一规定区域内包括周边部在内的膜质和膜厚都均匀、且针孔非常少的均匀的有机半导体薄膜。另外,第二课题是制作有机半导体单晶薄膜,其是由通过印刷法得到的薄膜在大致整个区域均为单一的单晶构成。通过准备第一墨水和第二墨水的工序、以及在基板上混合了从各墨水头同时或者交替地喷出第一墨水和第二墨水的工序,来制造均匀的有机半导体薄膜,所述第一墨水是将有机半导体以高浓度溶解在对该有机半导体具有高亲合力的有机溶剂中而得到的;所述第二墨水由对有机半导体具有低亲合力的有机溶剂构成。 | ||
搜索关键词: | 有机半导体 薄膜 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机半导体薄膜的制造方法,包括如下工序:准备第一墨水和第二墨水的工序,所述第一墨水是将有机半导体溶解于第一有机溶剂中而得到的墨水,所述第二墨水由第二有机溶剂构成;将所述第一墨水和所述第二墨水从各墨水头分别喷在基板上,并在所述基板上混合所述第一墨水和所述第二墨水的工序;以及在混合后的液滴中的有机半导体层析出之后,通过使液滴中的溶剂蒸发从而形成有机半导体薄膜的工序,所述第二有机溶剂仅由几乎不会溶解所述有机半导体的有机溶剂构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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