[发明专利]晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置有效
| 申请号： | 201180039907.3 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103069545A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 江原幸治;冈铁也;高桥修治 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种晶片的热处理方法，其在利用支撑部件来支撑晶片的主表面即第一主表面的状态下，以加热源进行加热，从而进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，一边控制前述加热源一边进行热处理，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。由此，本发明提供一种晶片的热处理方法，其能在对硅晶片进行热处理时，确实地抑制自晶片支撑位置发生的滑动位错。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 热处理 方法 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种晶片的热处理方法，其在利用支撑部件来支撑晶片的主表面即第一主表面的状态下，以加热源进行加热，从而进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，一边控制前述加热源一边进行热处理，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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