[发明专利]磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器

摘要

本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。

主权项

一种磁阻效应元件，其特征在于，具备：第1铁磁性层，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层，设于上述第1铁磁性层与上述第2铁磁性层之间；第3铁磁性层，设于相对于上述第2铁磁性层的与上述第1非磁性层相反一侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层，设于上述第2铁磁性层与上述第3铁磁性层之间，使第1电流向沿着从上述第3铁磁性层经由上述第2铁磁性层朝向上述第1铁磁性层的方向以及从上述第1铁磁性层经由上述第2铁磁性层朝向上述第3铁磁性层的方向中的一个方向流动，由此，通过由上述第3铁磁性层产生的上述旋转磁场，上述第1铁磁性层的磁化能够反转，使具有与上述第1电流不同的电流密度的第2电流向上述一个方向流动，借助于通过上述第2铁磁性层而被自旋极化后的电子，上述第1铁磁性层的磁化能够向与流过上述第1电流的情况不同的方向反转。