[发明专利]硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法有效

专利信息
申请号: 201180040155.2 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN103068728A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 藤永昌孝;酒井拓马;治田慎辅 申请(专利权)人: 宇部兴产股份有限公司
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068;C01B21/082;C09K11/08;C09K11/64
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种具有高亮度的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末,还提供了可以用于真空荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)或发白光的二极管(LED)等中的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体,以及这些荧光体的制备方法。所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末是晶体氮化硅粉末,其被用作生产包含硅元素、氮元素和氧元素的硅氮化物荧光体的原料,且其平均粒径为1.0μm~12μm、氧含量为0.2重量%~0.9重量%。
搜索关键词: 氮化物 荧光 体用 氮化 粉末 使用 获得 sr sub al si 13 21 以及 它们 制备
【主权项】:
一种硅氮化物荧光体用氮化硅粉末,所述氮化硅粉末为晶体氮化硅粉末,其被用作制备包含硅元素、氮元素和氧元素的硅氮化物荧光体的原料,所述氮化硅粉末的平均粒径为1.0μm~12μm、氧含量为0.2重量%~0.9重量%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇部兴产股份有限公司,未经宇部兴产股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180040155.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top