[发明专利]硅晶片加工液及硅晶片加工方法有效
| 申请号： | 201180040687.6 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103053010A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 北村友彦 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于硅晶片加工方法的硅晶片加工液，其掺混有含有含氮化合物的摩擦调节剂，含氮化合物在将与水的质量比(含氮化合物/水)设为1/99时pH为2以上且8以下。含氮化合物优选为杂环化合物。硅晶片加工液可抑制锯丝上固定有的磨料颗粒的磨损和氢的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
硅晶片加工液，其特征在于，所述硅晶片加工液为掺混含有含氮化合物的摩擦调节剂而成的硅晶片加工液，所述含氮化合物在将与水的质量比(所述含氮化合物/所述水)设为1/99时pH为2以上且8以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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