[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置无效
申请号: | 201180040719.2 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN103081078A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管,具备:基板(100);栅电极(110);栅极绝缘层(120);形成于栅电极(110)的上方的栅极绝缘层(120)上的结晶硅层(131);形成于栅极绝缘层(120)上且结晶硅层(131)的两侧、膜厚比结晶硅层(131)的膜厚薄的非晶硅层(130);形成于结晶硅层(131)上的沟道保护层(140);源电极(171)以及漏电极(172)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,具备:基板;形成于所述基板上的栅电极;形成于所述栅电极上的栅极绝缘层;形成于所述栅电极的上方的所述栅极绝缘层上的结晶硅层;形成于所述栅极绝缘层上且所述结晶硅层的两侧、膜厚比所述结晶硅层的膜厚薄的非晶硅层;形成于所述结晶硅层上的沟道保护层;以及沿着所述沟道保护层的端部的上表面、所述沟道保护层以及所述结晶硅层的侧面以及所述非晶硅层的上表面而形成于所述非晶硅层的一方的上方的源电极以及形成于所述非晶硅层的另一方的上方的漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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