[发明专利]近场平版印刷掩模及其制造有效
申请号: | 201180040729.6 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN103097953A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | B·柯宾 | 申请(专利权)人: | 罗利诗公司 |
主分类号: | G03F1/92 | 分类号: | G03F1/92 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了制造形成纳米图案的滚筒光掩模的方法。具有大小范围为从约1纳米至约100微米的形貌的底版图案可在底版基底上形成。弹性体材料层可在透明滚筒的表面上形成。底版图案可从底版转印至所述透明滚筒表面上的弹性体材料层。可选地,形成纳米图案的滚筒光掩模可通过在弹性体基底上形成具有纳米级形貌的图案并且将形成图案的弹性体基底层压至滚筒的表面而形成。在另一方法中,弹性体材料层可在透明滚筒的表面上形成并且具有纳米级形貌的图案可在弹性体材料上通过直接形成图案方法形成。 | ||
搜索关键词: | 近场 平版印刷 及其 制造 | ||
【主权项】:
用于形成纳米图案的滚筒光掩模的方法,包括:在底版基底上形成底版图案,其中所述底版图案包括大小范围为从约1纳米至约100微米的形貌;在透明滚筒的表面上形成弹性体材料层;将所述底版图案从所述底版转印至在所述滚筒表面上的所述弹性体材料层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备