[发明专利]损耗调制式硅倏逝波激光器有效
| 申请号： | 201180041417.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN103119804A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 约翰·E·鲍尔斯;戴道鑫 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01S3/04 | 分类号： | H01S3/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张梅珍;陈桂香 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种损耗调制式硅倏逝波激光器。根据本发明一个或多个实施例的损耗调制式半导体激光器件包括：驻留在第一衬底上的绝缘体上半导体（SOI）结构，该SOI结构包括位于SOI结构的半导体层中的波导；和与该SOI结构的半导体层键合的半导体结构，其中该SOI结构的半导体层中的至少一个区域控制半导体激光器件中的光子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 调制 式硅倏逝波 激光器 | ||
【主权项】：
一种损耗调制式半导体激光器件，包括：位于第一衬底上的绝缘体上半导体（SOI）结构，所述SOI结构包括位于所述SOI结构的半导体层中的波导；和与所述SOI结构的所述半导体层键合的半导体结构，其中所述SOI结构的所述半导体层中的至少一个区域控制所述半导体激光器件中的光子寿命。
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